Diferencia entre revisiones de «FET»

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El '''transistol d'efeutu campu''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en ingrès) es en realidá una família de [[transistol|transistoris]] que se basan en el [[campu elètricuelétricu]] pa controlal la conductividá dun "canal" nun material [[semiconductol]]. Los FET, cumu tos los transistoris, puein plantealse cumu [[Resistència elètrica]]s controlás pol [[voltahi]]. La mayoria delos FET estan hechus usandu las tècnicas de procesamientu de semiconductoris habitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión activa, o canal. La rehión activa delos TFTs (''thin-film transistors'', o transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla o deposición de vapol químicu depositá sobri un substratu (usualmenti [[vidriu]], ya que la prencipal aplicación delos TFTs es las pantallas de cristal líquidu o LCDs).
 
 
[[be-x-old:Палявы транзыстар]]
[[bg:Полеви транзистор]]
[[ca:Transistor d'efecte camp]]
[[cs:Unipolární tranzistor]]
[[da:Felteffekttransistor]]
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