El '''transistol d'efeutu campu''' (''Field-Effect Transistor'' o ''FET'', en ingrès) es en realidárealiá una família de [[transistol|transistoris]] que se basan en el [[campu elètricuelétricu]] pa controlal la conductividáconductiviá dun "canal" nun material [[semiconductol]]semicondutol. Los FET, cumu tos lostolos transistoris, puein plantealse cumu [[ResistènciaResisténcia elètrica]]selétricas controlás pol [[voltahi]]vortahi. La mayoriahuerça deloslos FET estanestán hechus usandugastandu las tècnicasténicas de procesamientuprohessamientu de semiconductorissemicondutoris habitualisabitualis gastandu l'oblea monocristalina semicondutora cumu la rehión activaativa, ou canal. La rehión activaativa delosde los TFTs (''thin-film transistors'', ou transistoris de pinicla fina), pol otru lau, és una pinicla ou deposición de vapol químicu depositá sobri un substratusustratu (usualmenti [[vidriuvídriu]], ya que la prencipal aplicación delosde los TFTs esson las pantallas de cristal líquidulíquiu o LCDs).
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==Tipus de transistoris d'efectu campu==
* El [[MOSFET]] (''Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor'') usagasta una uñon (normalment SiO<sub>2</sub>).
* El [[JFET]] (''Junction Field-Effect Transistor'') usagasta una uñón p-n.
* El [[MESFET]] (''Metal-Semiconductor Field Effect Transistor'') usagasta una [[barrera Schottky]]
* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), tamién hucheaullamau HFET (''heterostructura FET''), la banda de material dopadadopá cuncon "vacius" hormaholma el l'aislanti.
