Diferencia entre revisiones de «FET»

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== Tipus de transistoris d'efectu campu ==
 
* El [[MOSFET]] (''Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor'') gasta una uñon (normalment SiO<sub>2</sub>).
* El [[MESFET]] (''Metal-Semiconductor Field Effect Transistor'') gasta una [[barrera Schottky]]
* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), tamién llamau HFET (''heterostructura FET''), la banda de material dopá con "vacius" holma el aislanti.
== Atihus ==
 
* [http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf FET]
 
[[Category:enhenieriaEnhenieria]]
 
== Atihus ==
 
*[http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf FET]
 
[[ar:مقحل حقلي]]
[[ta:மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்]]
[[uk:Польовий транзистор]]
[[vi:Field-effect transistor]]
[[zh:场效应管]]
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