Diferencia entre revisiones de «FET»
Contenido eliminado Contenido añadido
c robot Añadido: it:Transistor ad effetto di campo |
c robot Añadido: vi:Field-effect transistor; cambios triviales |
||
Línia 3:
== Tipus de transistoris d'efectu campu ==
* El [[MOSFET]] (''Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor'') gasta una uñon (normalment SiO<sub>2</sub>).
Línia 9:
* El [[MESFET]] (''Metal-Semiconductor Field Effect Transistor'') gasta una [[barrera Schottky]]
* En el [[HEMT]] (''High Electron Mobility Transistor''), tamién llamau HFET (''heterostructura FET''), la banda de material dopá con "vacius" holma el aislanti.
== Atihus ==▼
* [http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf FET]▼
[[Category:
▲== Atihus ==
▲*[http://www.freescale.com/files/rf_if/doc/app_note/AN211A.pdf FET]
[[ar:مقحل حقلي]]
Línea 49 ⟶ 47:
[[ta:மின்புல விளைவுத் திரிதடையம்]]
[[uk:Польовий транзистор]]
[[vi:Field-effect transistor]]
[[zh:场效应管]]
| |||